发布时间：2015-07-23 04:07:20   阅读：4120   信息来源：1mos.com

场效应管（MOSFET）的发热分析

发布时间：2015-07-23 03:07:05   阅读：3333   信息来源：1mos.com

场效应管(MOSFET)是电压控制元件，而双极结型晶体管是电流控制元件。在只允许从取较少电流的情况下，应选用场效应管(MOSFET)；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用双极晶体管。

发布时间：2015-06-11 03:06:33   阅读：4798   信息来源：1mos.com

中国命名场效应管(MOSFET)通常有两种命名方法。日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分.

发布时间：2015-06-11 03:06:06   阅读：4155   信息来源：1mos.com

场效应管（MOSFET）的主要参数 场效应管（MOSFET）的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但是一般使用时关注以下主要参数：1、IDSS 2、UP 3、BUDS 4、PDSM 5、IDSM 6、UT 7、gM

发布时间：2015-05-08 10:05:57   阅读：3531   信息来源：MOSFET技术百科

各种常见的MOSFET技术:双栅极MOSFET、耗尽型MOSFET、NMOS逻辑、功率MOSFET、DMOS

发布时间：2015-05-05 03:05:13   阅读：3241   信息来源：1mos

MOSFET的工作原理:要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。