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  • 场效应管(MOSFET)的发热分析
    发布时间:2015-07-23 04:07:20   阅读:2939   信息来源:1mos.com
    场效应管(MOSFET)的发热分析
  • 场效应管(MOSFET)的应用优势
    发布时间:2015-07-23 03:07:05   阅读:2730   信息来源:1mos.com
    场效应管(MOSFET)是电压控制元件,而双极结型晶体管是电流控制元件。在只允许从取较少电流的情况下,应选用场效应管(MOSFET);而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用双极晶体管。
  • 场效应管(MOSFET)的命名方法
    发布时间:2015-06-11 03:06:33   阅读:2960   信息来源:1mos.com
    中国命名场效应管(MOSFET)通常有两种命名方法。日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分.
  • 场效应管(MOSFET)的主要参数
    发布时间:2015-06-11 03:06:06   阅读:3089   信息来源:1mos.com
    场效应管(MOSFET)的主要参数 场效应管(MOSFET)的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但是一般使用时关注以下主要参数:1、IDSS 2、UP 3、BUDS 4、PDSM 5、IDSM 6、UT 7、gM
  • MOSFET的各种常见技术
    发布时间:2015-05-08 10:05:57   阅读:2697   信息来源:MOSFET技术百科
    各种常见的MOSFET技术:双栅极MOSFET、耗尽型MOSFET、NMOS逻辑、功率MOSFET、DMOS
  • MOSFET的工作原理
    发布时间:2015-05-05 03:05:13   阅读:2222   信息来源:1mos
    MOSFET的工作原理:要使增强型N沟道MOSFET工作,要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS,则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。
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